a) Chứng minh rằng trên Sn−1 tồn tại một độ đo ωn−1 bất biến dưới O(n,R) và, sai khác một nhân tử hằng, chỉ có một độ đo duy nhất (xem Sn−1 như một không gian thuần nhất của O(n,R)).
b) Ánh xạ (t,z)↦tz cho phép đồng nhất không gian tôpô Rn−{0} với không gian tôpô R+∗×Sn−1. Chứng minh rằng độ đo cảm sinh trên Rn−{0} bởi độ đo Lebesgue trên Rn khi đó có thể được đồng nhất, sai khác một nhân tử hằng, với tn−1dt⊗dωn−1(z). (Sử dụng sự kiện rằng độ đo Lebesgue trên Rn là bất biến dưới O(n,R) và sự kiện rằng độ đo Lebesgue của quả cầu đóng tâm 0 bán kính r tỉ lệ với rn.)
c) Gọi Lh là giao của Sn−1 và siêu phẳng xn=h. Các Lh không rỗng là các lớp không bắc cầu của O(n−1,R) trong Sn−1. Chứng minh rằng ωn−1 có thể được đặt dưới dạng ∫λhdν(h), trong đó λh là một độ đo bất biến dưới O(n−1,R) và được mang bởi Lh, còn ν là một độ đo trên [−1,1]. Đồng nhất Lh với Sn−2 bởi z↦hen+1−h2z, ta có thể giả sử rằng λh=ωn−2. Gọi Kθ là tập con của Sn−1 được xác định bởi sinθ≤xn≤1. Bằng cách tính độ đo Lebesgue của tập hợp các tz (0≤t≤1, z∈Kθ), chứng minh rằng ωn−1(Kθ) tỉ lệ với ∫θπ/2cosn−2φdφ. Từ đó, suy ra rằng nếu đặt h=sinθ (−π/2≤θ≤π/2), thì độ đo ν có thể được đồng nhất với cosn−2θdθ.